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IGBT 的栅极驱动电压Vge上的米勒平台时如何产生的？谁能 . . .
解释了 IGBT 栅极驱动电压上的米勒平台是如何产生的。
在IGBT器件的开通过程中，栅极电荷Qg的充电过程是怎样的？
在时间段AB之间电容Cge被充电，当栅极电压Vge达到栅极阈值电压Vgeth，IGBT器件开始工作。 在时间段BC，栅极的充电过程由反馈电容Cgc（也叫 米勒电容 ）决定，这时，Vce电压不断降低，电流Igc通过Cgc给栅极放电，此时栅极电压保持恒定，这种现象叫作密勒平台。
什么是IGBT的退饱和（desaturation）？什么情况下IGBT会 . . .
栅极施加一个大于阈值的正压VGE，则栅极氧化层下方会出现强反型层，形成导电沟道。 这时如果给集电极C施加正压VCE，则发射极中的电子便会在电场的作用下源源不断地从发射极E流向集电极C，而集电极中的空穴则会从集电极C流向发射极E，这样电流便形成了。
什么是IGBT的退饱和（desaturation）？什么情况下IGBT会 . . .
栅极施加一个大于阈值的正压VGE，则栅极氧化层下方会出现强反型层，形成导电沟道。 这时如果给集电极C施加正压VCE，则发射极中的电子便会在电场的作用下源源不断地从发射极E流向集电极C，而集电极中的空穴则会从集电极C流向发射极E，这样电流便形成了。
IGBT短路试验？ - 知乎
当门极电压Vge≥Vge(th)，且Vce>Vge-Vge(th)时，进入退饱和区域以后，此时流入到N-基区的电子电流In受到门极电压的控制，进而限制了IGBT内部PNP晶体管的基极电流，最终空穴电流Ip也受到限制，因此该区域的IGBT集电极电流Ic会进入“线性区”。
IGBT的转移特性是什么？ - 知乎
IGBT的转移特性描述的是门极—发射极电压VGE与集电极电流IC之间的关系，即在集射极电压一定的情况下，门极—发射极电压的变化如何影响漏极输出电流。下图是英飞凌IKW25N120H3的转移特性曲线，不同温度下的转移特性不同。
如何理解IGBT模块的数据手册中短路电路SC数据的含义？ - 知乎
图2为短路测试的电压电流波形示意图。需要注意的是，短路时间tsc只适用于数据手册中指定的条件。如果IGBT的驱动电压Vge越高，会导致短路电流越大；如果直流母线电压越高，则短路期间所累积的能量越高；如果起始结温Tvj越高，则IGBT短路时的结温也会越
IGBT短路测试时VGE电压为什么一直高于设定值2V多呢？ - 知乎
是Vce高于2V吧。Vge偏低导通不彻底，或者管子的特性就这样。
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