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- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
先说说碳化硅(SiC)的优势。 首先是功率密度的提高：众所周知汽车里面空间是非常小的，所以功率密度的提高是以后的发展趋势，SiC器件的特性可以不仅使功率半导体的封装相比较硅的方案做得更小，而且使与功率器件配套的无源器件和散热器都做得更小。
- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
sic mosfet主要应用于600 v ~ 3 3 kv范围，用于替代si基igbt， 600v以下，虽然可以制备，但相比si器件没有明显优势。 较之si mosfet，为什么sic mosfet适用于更高级别的电压范围？ 关键，是两种材料的临界击穿场强差异。 sic材料的临界击穿场强，大概是si的10倍，
- 新手必看：SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么？该如何查询期刊在哪个分区？ - 知乎
知乎，中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台，于 2011 年 1 月正式上线，以「让人们更好的分享知识、经验和见解，找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业、友善的社区氛围、独特的产品机制以及结构化和易获得的优质内容，聚集了中文互联网科技、商业、影视
- SiC衬底的分类及应用有哪些？ - 知乎
SiC（碳化硅）衬底按照电阻率类型主要可以分为两类： 导电型衬底：电阻率通常在15~30mΩ·cm范围内，这类衬底具有较好的导电性，适用于制造功率半导体器件。由于其高热导率、高临界击穿场强和宽禁带特性，特别适合于制作高温、大功率、高频的电力电子器件
- 为什么要用4H-SiC？ - 知乎
3C-SiC这种不稳定性使得它很难以一个合理的速率生长大的3C-SiC晶锭，所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。 现在我们来比较一下4H和6H SiC。从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。
- 如何查看发表的论文属于sci几区啊？ - 知乎
在知网或JCR网站查询期刊影响因子和分区，了解发表论文的SCI分区。
- 什么是第三代半导体？和第一代第二代有什么优势？ - 知乎
为何氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半导体中备受追捧？ 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半导体材料，发明并实用于20世纪50年代，以硅（Si）、锗（Ge）为代表，特别是硅，构成了一切逻辑器件的基础。
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