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- 锑化镓（GaSb）半导体材料的光学性质 | 厦门中芯晶研 . . .
锑化镓 (GaSb)属于锑化物化合物半导体，在III-V族半导体中具有较小的带隙，适用于制作在红外区域的光电器件和波长范围为1-5 μm的电子器件。 GaSb在室温下的能带隙为0 70 eV (1 77 μm)，在4K下的能带隙为0 81 eV (1 53 μm)。
- 常用作衬底的III-V族化合物-锑化镓 (GaSb) - 知乎
一、锑化镓 (GaSb)材料材料概述锑化镓（Gallium Antimonite, GaSb） 是 III-V 族化合物半导体， 属于闪锌矿、直接带隙材料， 其禁带宽度为 0 725eV（300K） ， 晶格常数为 0 60959nm。 二、锑化镓 (GaSb)材料材料的…
- 2~5 μm中红外波段GaSb半导体材料研究进展
In this paper, the progress of epitaxial growth and material properties of 2 - 5 μm GaSb and GaSb-related semiconductor materials are briefly reviewed
- 综述：GaSb单晶研究进展@锑化物红外技术_材料_晶体_InSb
GaSb禁带宽度0 72 eV，温度相应范围（1000 K～1500 K）与辐射器发出的波长能量范围接近，是理想的热光伏电池材料。 一般通过在n型GaSb表面通过Zn扩散掺杂制备同质结GaSb电池，这种方法制备GaSb电池具有效率高、工艺简单、成本低的优势成为主流，并应用于商业化
- 标题 - Researching
GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能, 这就要求GaSb 单晶片具有大尺寸、 更低的缺陷密度、 更好的表面质量和一致性。 本文就GaSb晶体材料的性质、 制备方法、 国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述, 并对其发展前景和趋势进行了展望。
- 锑化镓 | 12064-03-8 - ChemicalBook
锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0 725eV（300K），晶格常数为0 60959nm。 GaSb具有优异的物理化学性能，常被用做衬底材料，应用于8~14mm及大于14mm的红外探测器和激光器。 此外，Te掺杂的GaSb可用于制备高光电转化效率的热光伏器件、迭层太阳能电池及微波器件等。 通常从熔体中生长单晶的最常见方法是直拉法（CZ）。 但是对于GaSb材料，单晶生长过程中Sb元素更易离解挥发，将导致熔体内Ga：Sb化学计量比失衡，从而产生位错缺陷，甚至畸变为多晶。
- 锑化镓蒸发材料（GaSb） - 苏州科跃材料
锑化镓蒸发材料（Gallium Antimonide Evaporation Material，GaSb）是一种由镓（Ga）与锑（Sb）组成的 Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体蒸发材料，主要用于真空蒸发与电子束蒸发（E-beam Evaporation）等 PVD 薄膜沉积工艺。 GaSb 以其 窄带隙特性、优异的红外响应能力以及良好的能带工程兼容性，在红外探测、光电器件及高速电子器件研究中占据重要地位。 在需要薄膜具备 稳定化学计量比、高载流子迁移率及红外敏感特性 的应用场景中，锑化镓是一类技术成熟、科研与工程价值兼具的蒸发材料选择。
- 半导体薄膜基片锑化镓（GaSb）
GaSb单晶由于其晶格常数与各种三元和四元、III-V化合物固溶体的晶格常数相匹配，可以用作基底材料，其带隙在0 8~4 3um宽的光谱范围内。 GaSb晶格的有限迁移率大于GaAs晶格，在微波器件制造中具有潜在的应用前景。 生长方法包括LEC、VGF和VBG。
- GaSb衬底 - 锑化镓晶体和晶片- Shalom EO
锑化镓（GaSb）晶体和基板 锑化镓（GaSb）的晶格常数在0 8~4 3μm带隙范围内与三元、四元和III-V族化合物固溶体具有良好的匹配性，使其成为红外光纤传输的良好衬底材料。 GaSb比GaAs具有更高的晶格限制迁移率，预计在微波领域拥有良好的应用前景。
- InP、InAs、InSb 和 GaSb 中带隙的温度依赖性,Solid State . . .
Abstract We calculate the dependence of the direct band gaps E 0 on temperature in the narrow-gap materials InP, InAs, InSb, and GaSb Our calculation is based on the Allen-Heine approach and includes two effects: (i) thermal expansion and (ii) electron-phonon interaction
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