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- 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET体二极管特性 - 知乎
然而，SiC MOSFET的体二极管虽然是PN结二极管， 但 反向恢复时间 极短，大致与SiC SBD相当，几十ns级别， 原因是 SiC材料的少子寿命极短（纳秒级，相比之下Si材料的少子寿命是微秒级），反向恢复过程中，这些少子非常迅速地复合，使得反向恢复时间极短。 因此，相比Si MOSFET 的体二极管，以及Si IGBT 外接的FRD，SiC MOSFET体二极管的反向恢复损耗可以减少到 几分之一到几十分之一。 这张图，对比SiC SBD（SCH2080KE）与SiC MOSFET 的体二极管（SCT2080KE）的反向恢复曲线， 两者几无差异。 这里提一句，在反向恢复时间上，SiC SBD与SiC MOSFET的体二极管基本相同， 但， 两者的导通压降有明显差异，
- 倾佳电子SiC碳化硅MOSFET开关行为深度解析及体二极管的 . . .
通过精心设计的栅极驱动（如不对称电压和优化的栅极电阻）和战略性地使用反并联SiC肖特基二极管，可以有效缓解上述问题，从而在效率、EMI和可靠性之间实现最佳平衡。
- 第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点应用 . . .
首先, 关于“低损耗”: 由于MOSFET 的晶胞小型化等, 关键指标之一的“单位面积导通电阻:RonA”与第三代产品相比降低了40%。 通过优化器件的结构以降低寄生电容,与传统产品相比,导通损耗与开关损耗大幅度降低。 其次, 关于“提高易用性”: 相对于第3 世产品的VG(ON)=18V 驱动, 用与硅(Si)MOSFET 同等规格的VG(ON)=15V就可以驱动。 这样使得用SiC 替换Si-MOSFET 变得更加容易、 极大提高了客户电路设计上的灵活度。 而且、为了抑制Self turn on,通过优化器件的栅极电容、以及提高栅极阈值电压的设计,使器件在关断时不需要负电压。 这样简化了驱动电路,并且通过最小化电路规模,使电路成本降低。
- 器件（二）：一文读懂SiC MOSFET-CSDN博客
图中，ILD代表绝缘层间介质，在栅极和源极之间，用于提供栅、源间的隔离。 可以看到，它拥有更快的开关速度，更高的电流密度和更分散的热量。 但同时，它也存在着蚀刻工艺更加复杂、栅极边缘电场集中导致击穿电压更小、成本更高等问题。
- 第18讲：SiC MOSFET的动态特性 | 电子创新元件网
本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。 包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。 此外，还应注意测试波形的准确性。 1 阈值电压特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS (th)）通常低于Si IGBT。 降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。
- 第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点应用笔记 Rev. 001
首先, 关于“低损耗”: 由于MOSFET 的晶胞小型化等, 关键指标之一的“单位面积导通电阻:RonA”与第三代产品相比降低了40%。 通过优化器件的结构以降低寄生电容,与传统产品相比,导通损耗与开关损耗大幅度降低。 其次, 关于“提高易用性”: 相对于第3 世产品的VG(ON)=18V 驱动, 用与硅(Si)MOSFET 同等规格的VG(ON)=15V就可以驱动。 这样使得用SiC 替换Si-MOSFET 变得更加容易、 极大提高了客户电路设计上的灵活度。 而且、为了抑制Self turn on,通过优化器件的栅极电容、以及提高栅极阈值电压的设计,使器件在关断时不需要负电压。 这样简化了驱动电路,并且通过最小化电路规模,使电路成本降低。
- 3. 7 阻断特性
IGBT 的特性通常是指阻断正向电压的情况, 而反向阻断能力一般不会在数据手册中提及,一般可以认为IGBT 反向阻断能力要明显地低于正向阻断能力。 由于IGBT 通常会反并联续流二极管,所以对实际应用并没有什么不良影响。除了由于二极管换流造成的反向电压过冲的场合外,IGBT的反向阻断能力不是必需的, 这一点在3 3 1 节和第7 章7 9 节提及。在实际应用中,如果需要特别的反向阻断能力, 可以把IGBT 和一个二极管串联使用,从而获得反向阻断能力。 IGBT 的正向阻断能力通常决定了它的电压等级。 比如一个600V 的IGBT,其正向阻断电压为UCES=600V 。 不论是动态电压还是静态电压,IGBT 的工作电压不可以超过数据手册中给出的UCES。
- 碳化硅，SiC, MOSFET, 开关损耗，降低损耗|英飞凌开发者 . . .
本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，这些因素可以显著提升SiC MOSFET在功率电路中的开关性能
- SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性
不言而喻，MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管，因而存在反向恢复现象，其特性表现为反向恢复时间（trr）。 下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比较。 如图所示，示例的Si-MOSFET的trr较慢，流过较大的Irr。 而SiC-MOSFET SCT2080KE的体二极管
- 博士学位论文
In this paper, the electrical characteristics and reliability of SiC MOS devices are investigated by means of irradiation and annealing processes, and the formation and distribution of interfacial defects are analyzed in high-temperature processes The main work of this paper is as follows
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